Etude de l’« Advanced Spice Model » pour la modélisation des transistor HEMT GaN
Abstract
Le modèle Advanced Spice Model (ASM) développé par S. Khandelwal et al. [1] a été utilisé pour la modélisation d’un transistor GH15 de la fonderie UMS. Il met en jeu le potentiel de surface, calculé à partir du niveau de Fermi (Ef), qui permet de proposer un modèle analytique pour les charges intrinsèques ainsi que le courant de drain. D’ autres effets parasites doivent également être modélisés et mis en équations afin de correspondre au mieux aux mesures (résistances d’accès, effet de grille courte, pièges, température...).
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Electronics
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