TCAD simulation of radiation-induced leakage current in SDRAM - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02086412 , version 1 (01-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02086412 , version 1

Citer

Hoang Nguyen, Axel Rodriguez, Frédéric Wrobel, Alain Michez, Francoise Bezerra, et al.. TCAD simulation of radiation-induced leakage current in SDRAM. 29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2018), Oct 2018, Aalborg, Denmark. ⟨hal-02086412⟩
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