COLLECTION DE L'IES DANS L'ARCHIVE OUVERTE HAL

 

     

   

 

 

Les collaborations internationales de l'IES

 

Ce site dédié HAL-IES (abrité par HAL et géré à l'IES) est destiné à la consultation et au dépôt des publications scientifiques (de toutes natures : du Poster aux Articles Scientifiques en passant par les Brevets et Thèses et autres documents) de l'Institut d'Electronique et des Systèmes (UMR 5214 - CNRS et Université de Montpellier) et de ses anciennes dénominations (tout autant que ce soit possible et cohérent : EM2, CEM, CEM2, LAIN, LEM...).

  

# Un unique lien dynamique basé sur un IDHal (voir documentation) du type (remplacez prenom et nom en fin d'URL) :

https://hal.archives-ouvertes.fr/IES/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

permettra à nos auteurs de renvoyer vers leur production totale au cours du temps, triée par date de publication.

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie IES dans HAL".

 

# Si votre carrière s'est faite aussi dans d'autres laboratoires et que vous avez un IdHal, le lien suivant qui dépasse notre collection sera plus exhaustif :

https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie dans HAL". 

 

Ce site, outre son aspect pratique pour consulter, rechercher et déposer permet d'accroître la visibilité de nos publications, de valoriser la production du laboratoire, d’assurer la pérennité des données déposées, de répondre aux exigences des tutelles et de la commission européenne dans le cadre de certains projets spécifiques.

Nos tutelles font pression pour que l'ensemble de notre production y soit inventorié, y compris les thèses de nos étudiants (dans ce cas en texte intégral donc sous forme de documents et non de notice : référence sans texte). Un sous-site de HAL leur est même dédié.

  

 

Mots clés de nos dépôts

III V semiconductors Thin films II VI semiconductors Electron device noise Carrier density Zinc oxide Silicon Terahertz VECSEL Particle detector Heavy ions Quantum wells Liquid phase epitaxial growth Indium compounds Mechanical properties Photoluminescence Aluminium compounds Wood Nanostructures Particle beams GaSb Viscoelasticity Quantum cascade laser Neutron Diffusion model Semiconductor epitaxial layers Silver SER Semiconductor materials Neutrons Laser Simulation Atomic force microscopy Acoustic microscopy Multiple cell upset MCU GROWTH Semiconductor Structural properties Cell wall SEU Energy gap Radiofrequency sputtering Protons Photodiodes AlOx Antimoniures Liquid phase epitaxy Semiconductor growth Semiconductor thin films Plasma waves Space charge COTS AP8-AP9 MODELS Cadmium compounds Cross section Semiconductors Gallium compounds Cesium atomic clocks Sol-gel process Electrical conductivity Inorganic compounds Binary compounds Radiation Soft Error Rate Imaging Sensors Annealing SRAM Dynamics Molecular beam epitaxial growth Gallium arsenide Honey Gallium antimonides Proton Optimization Atmospheric neutrons Growth mechanism Semiconductor lasers VALIDATION Band structure Experimental study VCSEL III-V semiconductors Elastic modulus Laser diodes Molecular beam epitaxy Bragg reflectors Noise Canonical single-corpuscle thermodynamics Polarization Carnot cycle Physical Sciences Transition element compounds Single event upset SEU AFM Elemental semiconductors SEMICONDUCTORS Optical properties Ideal gas law Antimonides

 

  

    

 (Pour Formation et Information : Correspondant HAL, Gestionnaire du Site HAL-IES & des Collections IES et CEM2 : eric.dauverchain@ies.univ-montp2.fr)