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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

A physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT

Nandha Kumar Subramani
Systèmes RF
Jean-Christophe Nallatamby
Systèmes RF
Amit Kumar Sahoo
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
Raphaël Sommet
Systèmes RF
CV
Raymond Quere
Systèmes RF
B. Bindu
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique

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https://hal.science/hal-01935799

Soumis le : mardi 27 novembre 2018-09:49:43

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Dates et versions

hal-01935799 , version 1 (27-11-2018)

Identifiants

Citer

Nandha Kumar Subramani, Jean-Christophe Nallatamby, Amit Kumar Sahoo, Raphaël Sommet, Raymond Quere, et al.. A physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT. 2016 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMaRC), Dec 2016, New Delhi, France. ⟨10.1109/IMaRC.2016.7939610⟩. ⟨hal-01935799⟩

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