Ageing of GaN HEMT devices: which degradation indicators? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Semiconductors Année : 2016

Ageing of GaN HEMT devices: which degradation indicators?

O. Latry
Farid Temcamani
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 885826

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01740848 , version 1 (22-03-2018)

Identifiants

Citer

A. Divay, O. Latry, Cédric Duperrier, Farid Temcamani. Ageing of GaN HEMT devices: which degradation indicators?. Journal of Semiconductors, 2016, 37 (1), ⟨10.1088/1674-4926/37/1/014001⟩. ⟨hal-01740848⟩
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