Caractérisation et modélisation non-linéaire du HEMT AlN/GaN sur substrat silicium et validation par mesure Load-Pull
Résumé
– Cet article décrit la caractérisation et la modélisation grand-signal d'un transistor HEMT AlN/GaN sur substrat silicium de développement 2x50 µm avec une longueur de grille ultra courte du laboratoire IEMN de Lille. Ce composant a été optimisé pour la conception de circuits analogiques haute fréquence. Les différentes étapes de caractérisation et de modélisation sont présentées ainsi que la validation du modèle grand-signal en comparant les résultats de simulations avec des mesures Load-Pull. Le modèle employé prend en compte les effets de pièges, il est validé par comparaison avec des mesures qui mettent en évidence leurs effets.
Domaines
Electronique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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