Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
Philippe Bouysse : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01432290
Soumis le : mercredi 11 janvier 2017-16:33:53
Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01432290 , version 1
Citer
Linh Trinh Xuan, Raphaël Aubry, Olivier Patard, Jean-Claude Jacquet, Piero Gamarra, et al.. Normally-off AlGaN/GaN Recessed MOS-HEMTs on Normally-on Epitaxial Structures for Microwave Power Applications. Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom. ⟨hal-01432290⟩
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