Caractérisation électrique de d'impédance thermique des transistors HEMTs GaN en utilisant " la méthode 3ω "
Résumé
Dans cet article, nous présentons une méthode de caractérisation pour la détermination de l'impédance thermique des transistors HEMT GaN. La méthode est inspirée par la " méthode 3ω " initialement proposée par D.G. Cahill afin de mesurer la conductivité thermique de films minces. Elle repose sur la mesure de la tension à la troisième harmonique aux bornes de l'élément résistif à caractériser. Cette mesure de l'amplitude des oscillations dites thermiques est une image réelle de l'impédance thermique du composant.