Caractérisation au-dessous du seuil de doubles hétérostructures lasers GaInAsSb/GaAlAsSb émettant vers 2,37 μm

J. Leclercq , P. Grunberg , G. Boissier (1) , C. Fouillant , S. Sadik , P. Martin , J. Lazzari (1) , A. Joullié (1)

1 CEM2 - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier

Des diodes lasers planars à ruban à guidage par le gain ont été préparées à partir de la double hétérostructure Ga0,77In0,23As0,20Sb0,80/Ga0,53Al0,47As0,04Sb0,96 obtenue par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb orienté (100). Ces diodes émettent vers 2,1 μm à 80 K en régime continu et vers 2,37 μm à 292 K en régime pulsé avec des courants de seuil proches de 265 mA à 80 K et de 4 A à température ambiante. L'analyse de la puissance spontanée émise en fonction du courant d'injection a permis à 292 K de déterminer, à faible injection, la durée de vie non radiative de recombinaison sur centres profonds τnr≈4-5 ns et à plus forte injection le coefficient de recombinaison Auger C ≈1,1 ×10-28 cm6/s. Une étude du gain optique à partir des spectres d'émission a permis de déterminer le paramètre d'élargissement de raie au seuil α= 3,8 ±1,3 à 80 K.

Domaines: Articles anciens

J. Leclercq, P. Grunberg, G. Boissier, C. Fouillant, S. Sadik, et al.. Caractérisation au-dessous du seuil de doubles hétérostructures lasers GaInAsSb/GaAlAsSb émettant vers 2,37 μm. Journal de Physique III, 1993, 3 (10), pp.1963-1979. ⟨10.1051/jp3:1993254⟩. ⟨jpa-00249058⟩