Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb

A. Joullié (1) , R. Dedies , Joël Chevrier (1) , G. Bougnot (1)

1 CEM2 - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier

Un diagramme de phase précis dans la région riche en indium du système ternaire Ga-In-Sb a été établi. Les points du liquidus ont été obtenus par analyse thermique différentielle d'échantillons de composition déterminée. Les points du solidus résultent de la mesure de la concentration en gallium de cristaux ternaires épitaxiés à partir de liquides riches en indium. Les isothermes du liquidus et les courbes solidus ont été calculés sur le modèle des solutions régulières. En ajustant certains paramètres thermodynamiques, l'accord obtenu avec les points expérimentaux est excellent côté indium du diagramme ternaire. Des couches de GaxIn1-xSb de 0 ≤ x ≤ 0,92 ont été épitaxiées sur substrats d'InSb orientés [111] dans la gamme de températures 400-300 °C. L'homogénéité et les autres caractéristiques de ces couches ont été examinées. Quelques résultats de mesures électriques sont fournis.

Mots clés: crystal growth from melt; solidus data; regular solution model; liquidus isotherms; liquidus data; In rich region; DTA measurements; semiconductor growth; phase diagrams; indium antimonide; III V semiconductors; phase diagram; gallium compounds; liquid phase epitaxial growth; epitaxial growth; Ga sub x In sub 1 x Sb; thermodynamical parameters; InSb substrates; homogeneity; layer characteristics; electrical measurements; concentration measurement; 300 to 400 degrees C

Domaines: Articles anciens

A. Joullié, R. Dedies, Joël Chevrier, G. Bougnot. Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb. Revue de Physique Appliquée, 1974, 9 (2), pp.455-463. ⟨10.1051/rphysap:0197400902045500⟩. ⟨jpa-00243802⟩