STRUCTURE DE BANDES DES ALLIAGES GaxIn1-xP
Résumé
Les alliages GaxIn1-xP sont étudiés à 300 K par électroréflexion. La variation parabolique de E0 et E1 avec x est précisée, les paramètres de courbure étant respectivement 0,49 eV et 0,86 eV. On étudie la variation de E0 en fonction de la température entre 8 K et 300 K par piézoréflexion. On trouve une variation linéaire entre 100 et 300 K. Le coefficient de température est (— 4,4 ± 0,4) eV/K. Aux incertitudes près, il est le même quel que soit x. A basse température, le paramètre de courbure de E0(x) vaut 0,42 eV. La bande interdite indirecte Xc6 — Ɖv8 est obtenue dans la même gamme de température par électrotransmission. Les paramètres du point de croisement des minima Ɖ-X de la bande de conduction sont pour T inférieur à 10 K, xc = 0,69 ± 0,015, Ee = 2,33 ± 0,01 eV. A T = 300 K les valeurs xc = 0,63 ± 0,015, Ee = 2,14 ± 0,01 eV sont confirmées. L'interprétation des spectres de luminescence dans le cas des dopages N et S est discutée. En particulier l'accroissement résonnant de la transition due à N se produit pour x = 0,65 et non 0,71.
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