Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
A.J. Kordyasz
,
N. Le Neindre
(1)
,
M. Pârlog
(1)
,
G. Casini
,
R. Bougault
(1)
,
G. Poggi
,
A. Bednarek
,
M. Kowalczyk
,
O. Lopez
(1)
,
Y. Merrer
(1)
,
E. Vient
(1)
,
J.D. Frankland
(2)
,
Eric Bonnet
(2)
,
A. Chbihi
(2)
,
Diego D. Gruyer
(2)
,
B. Borderie
(3)
,
G. Ademard
(3)
,
P. Edelbruck
(3)
,
M.F. Rivet
(3)
,
F. Salomon
(3)
,
M. Bini
,
S. Valdre
,
E. Scarlini
,
G. Pasquali
,
G. Pastore
,
S. Piantelli
,
A. Stefanini
,
A. Olmi
,
S. Barlini
,
A. Boiano
,
E. Rosato
,
A. Meoli
,
A. Ordine
,
G. Spadaccini
,
G. Tortone
,
M. Vigilante
,
E. Vanzanella
,
M. Bruno
,
S. Serra
,
L. Morelli
,
M. Guerzoni
,
R. Alba
,
D. Santonocito
,
C. Maiolino
,
M. Cinausero
,
F. Gramegna
,
T. Marchi
,
T. Kozik
,
P. Kulig
,
T. Twarog
,
Z. Sosin
,
K. Gasior
,
A. Grzeszczuk
,
W. Zipper
,
J. Sarnecki
,
D. Lipinski
,
H. Wodzinska
,
A. Brzozowski
,
M. Teodorczyk
,
M. Gajewski
,
A. Zagojski
,
K. Krzyzak
,
K.J. Tarasiuk
,
Z. Khabanowa
,
L. Kordyasz
A.J. Kordyasz
- Fonction : Auteur
N. Le Neindre
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M. Pârlog
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G. Casini
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R. Bougault
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G. Poggi
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A. Bednarek
- Fonction : Auteur
M. Kowalczyk
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O. Lopez
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E. Vient
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J.D. Frankland
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Eric Bonnet
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Diego D. Gruyer
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F. Salomon
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M. Bini
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S. Valdre
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E. Scarlini
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G. Pasquali
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G. Pastore
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S. Piantelli
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A. Stefanini
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A. Olmi
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S. Barlini
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A. Boiano
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A. Meoli
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S. Serra
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M. Guerzoni
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C. Maiolino
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M. Cinausero
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F. Gramegna
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T. Marchi
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T. Kozik
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P. Kulig
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T. Twarog
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Z. Sosin
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K. Gasior
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A. Grzeszczuk
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W. Zipper
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J. Sarnecki
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D. Lipinski
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H. Wodzinska
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A. Brzozowski
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M. Teodorczyk
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M. Gajewski
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A. Zagojski
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K. Krzyzak
- Fonction : Auteur
K.J. Tarasiuk
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Z. Khabanowa
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L. Kordyasz
- Fonction : Auteur
Résumé
A new technique of large-area thin ion implanted silicon detectors has been developed within
the R&D performed by the FAZIA Collaboration. The essence of the technique is the application of a lowtemperature
baking process instead of high-temperature annealing. This thermal treatment is performed
after B+ ion implantation and Al evaporation of detector contacts, made by using a single adjusted
Al mask. Extremely thin silicon pads can be therefore obtained. The thickness distribution along the
X and Y directions was measured for a prototype chip by the energy loss of α-particles from 241Am
(Eα = 5.5MeV). Preliminary tests on the first thin detector (area ≈ 20 × 20mm2) were performed at
the INFN-LNS cyclotron in Catania (Italy) using products emitted in the heavy-ion reaction 84Kr(E =
35AMeV)+112Sn. The ΔE−E ion identification plot was obtained using a telescope consisting of our thin
ΔE detector (21 μm thick) followed by a typical FAZIA 510 μm E detector of the same active area. The
charge distribution of measured ions is presented together with a quantitative evaluation of the quality of
the Z resolution. The threshold is lower than 2AMeV depending on the ion charge.