Effets du dopage fer et carbone dans la zone tampon GaN sur les constantes de temps de pièges dans les HEMT
Résumé
Ce travail étudie expérimentalement par l'analyse des transitoires de courant de drain (DCT) les pièges électriquement actifs dans les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base d'InAlN/GaN et d'AlN/GaN. L'impact du dopage fer ou carbone dans la couche tampon de GaN est notamment examiné. Un piège de niveau profond positionné à EC-0,63 eV avec une section de capture de σ = ~6×10-15 cm² est identifié pour le transistor InAlN/GaN à dopage Fe. Les mesures DCT montrent par contre que le transistor AlN/GaN HEMT (dopé C) possède quant à lui un piège à électrons positionné à EC-0,33 eV avec une section de capture de 2x10-20 cm². Contrairement au dopage Fe, ces analyses montrent que le buffer à dopage carbone dispose de constantes de temps d'émission de pièges très lentes. Ces caractérisations permettent de définir une méthodologie de tri des composants très utile pour leur fabricant.
Domaines
Electronique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)