GaN-based HEMTs operating as zero-bias microwave detectors at low temperature

G. Paz , I. Iniguez de La Torre (1) , H. Sanchez , Virginie Hoel (2, 3) , Y. Cordier (4) , T. Gonzalez (5) , J. Mateos (5)

1 Universidad de Salamanca
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 CSAM - IEMN - Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN
4 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
5 Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

G. Paz, I. Iniguez de La Torre, H. Sanchez, Virginie Hoel, Y. Cordier, et al.. GaN-based HEMTs operating as zero-bias microwave detectors at low temperature. 13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021, Jun 2021, Seville, Spain. ⟨hal-03340956⟩