Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Dates et versions

hal-03298881 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298881 , version 1

Citer

F Medjdoub. Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency: [Invited]. Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency, May 2017, Turin, Italy. ⟨hal-03298881⟩

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