Technologie InAlGaN/GaN/SiC à faibles effets mémoires délivrant 10W/mm à 30 GHz

Stéphane Piotrowicz (1) , O. Patard (1) , P. Gamarra (1) , Clément Potier (1) , E. Chartier (2) , C. Dua , J.C. Jacquet (2) , M. Lacam (1) , N. Michel (2) , Jean-Christophe Nallatamby (3) , M. Ouali (1) , P. Altuntas (1) , Michel Prigent (3) , Sylvain Delage (1)

1 III-V Lab - Alcatel-Thales III-V Lab
2 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
3 XLIM-SRF - Systèmes RF

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Electronique

Stéphane Piotrowicz, O. Patard, P. Gamarra, Clément Potier, E. Chartier, et al.. Technologie InAlGaN/GaN/SiC à faibles effets mémoires délivrant 10W/mm à 30 GHz. XXI èmes Journées Nationales Microondes, May 2019, –Caen, France. ⟨hal-02460542⟩