Characterization of Deep-Level Traps in AlInN/GaN HEMTs by I-DLTS and Output Admittance Dispersion - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Characterization of Deep-Level Traps in AlInN/GaN HEMTs by I-DLTS and Output Admittance Dispersion

Vigneshwara Raja Paramasivan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063826
Indian Institute of Technology Madras
Mohamed Bouslama
Systèmes RF
S. Sarkar
  • Fonction : Auteur
Indian Institute of Technology Madras
K.R. Pandurang
  • Fonction : Auteur
Indian Institute of Technology Madras
K. Narang
  • Fonction : Auteur
Jean-Christophe Nallatamby
Systèmes RF
Nandita Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063824
Indian Institute of Technology Madras
Amitava Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063825
Indian Institute of Technology Madras

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Christophe Nallatamby  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02458642

Soumis le : mardi 28 janvier 2020-19:13:45

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02458642 , version 1 (28-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02458642 , version 1

Citer

Vigneshwara Raja Paramasivan, Mohamed Bouslama, S. Sarkar, K.R. Pandurang, K. Narang, et al.. Characterization of Deep-Level Traps in AlInN/GaN HEMTs by I-DLTS and Output Admittance Dispersion. XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD2019), Dec 2019, Kolkata, India. ⟨hal-02458642⟩

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