THz emission from 2DEG GaN device

A. Penot (1, 2) , J. Torres (1, 2) , P. Nouvel (1, 2) , L. Varani (1, 2) , F. Teppe (3) , C. Consejo (3) , N. Diakonova (3) , W. Knap (3) , Y. Cordier (4) , S. Chenot (4) , M. Chmielowska (4) , J-P. Faurie (5) , B. Beaumont (5) , P. Shiktorov (6) , E. Starikov (6) , V. Gružinskis (6)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 TéHO - Térahertz, hyperfréquence et optique
3 L2C - Laboratoire Charles Coulomb
4 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
5 LUMILOG - Saint-Gobain
6 Semiconductor Physics Institute (Vilnius)

Domaines: Electronique

A. Penot, J. Torres, P. Nouvel, L. Varani, F. Teppe, et al.. THz emission from 2DEG GaN device. 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON), 2013, Matsue, Japan. ⟨hal-02454369⟩