Room temperature pulsed-DC sputtering deposition process for CIGS absorber layer: Material and device characterizations - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2018
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Dates et versions

hal-02409508 , version 1 (13-12-2019)

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Citer

Boubakeur Ayachi, Thomas Aviles, Jean-Pierre Vilcot, Cathy Sion, Patrice Miska. Room temperature pulsed-DC sputtering deposition process for CIGS absorber layer: Material and device characterizations. Thin Solid Films, 2018, 660, pp.175-179. ⟨10.1016/j.tsf.2018.06.019⟩. ⟨hal-02409508⟩
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