Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications - Archive ouverte HAL

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Conference Papers Year : 2018

Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications

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Gaël Gautier

Function : Author
PersonId : 18457
IdHAL : gael-gautier
ORCID : 0000-0002-6854-7040
IdRef : 069994293

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Thomas Defforge

Function : Author
PersonId : 17636
IdHAL : thomas-defforge
ORCID : 0000-0002-2919-2144
IdRef : 176758089

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Guillaume Gommé

Function : Author
PersonId : 1049134

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Damien Valente

Function : Author

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Daniel Alquier

Function : Author
PersonId : 18459
IdHAL : daniel-alquier
ORCID : 0000-0003-1345-8195
IdRef : 128188308

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Domains

Material chemistry Materials Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Thomas Defforge : Connect in order to contact the contributor

https://hal.science/hal-02382075

Submitted on : Wednesday, November 27, 2019-7:50:17 AM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:53:14 PM

Dates and versions

hal-02382075 , version 1 (27-11-2019)

Identifiers

HAL Id : hal-02382075 , version 1
DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.943

Cite

Gaël Gautier, Thomas Defforge, Guillaume Gommé, Damien Valente, Daniel Alquier. Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications. ICSCRM 2017, Sep 2017, Washington, United States. pp.943-946, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.943⟩. ⟨hal-02382075⟩

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UNIV-TOURS CNRS GREMAN INSA-GROUPE INSA-CVL

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