Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications

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Gaël Gautier

Fonction : Auteur
PersonId : 18457
IdHAL : gael-gautier
ORCID : 0000-0002-6854-7040
IdRef : 069994293

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Thomas Defforge

Fonction : Auteur
PersonId : 17636
IdHAL : thomas-defforge
ORCID : 0000-0002-2919-2144
IdRef : 176758089

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Guillaume Gommé

Fonction : Auteur
PersonId : 1049134

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Damien Valente

Fonction : Auteur

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Daniel Alquier

Fonction : Auteur
PersonId : 18459
IdHAL : daniel-alquier
ORCID : 0000-0003-1345-8195
IdRef : 128188308

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Domaines

Matériaux Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thomas Defforge : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02382075

Soumis le : mercredi 27 novembre 2019-07:50:17

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:14

Dates et versions

hal-02382075 , version 1 (27-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02382075 , version 1
DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.943

Citer

Gaël Gautier, Thomas Defforge, Guillaume Gommé, Damien Valente, Daniel Alquier. Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications. ICSCRM 2017, Sep 2017, Washington, United States. pp.943-946, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.943⟩. ⟨hal-02382075⟩

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