Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics

Adrien Cutivet (1, 2, 3, 4) , Meriem Bouchilaoun (1, 2) , Bilal Hassan (1, 2) , Christophe Rodriguez (1, 2, 3, 5) , Ali Soltani (3, 1, 2, 4) , François Boone (1, 2) , Hassan Maher (1, 2)

1 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
5 OPTO - IEMN - Optoélectronique - IEMN

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, et al.. Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics. The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310050⟩