Performance and structure degradations of SiGe HBT after electromagnetic field stress

A. Alaeddine; Moncef Kadi; K. Daoud

doi:10.1109/IRPS.2011.5784555

Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Performance and structure degradations of SiGe HBT after electromagnetic field stress

, (1) , (2)

1
2

A. Alaeddine

Fonction : Auteur

Moncef Kadi

Fonction : Auteur
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadi
IdRef : 084533242

Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

CV

K. Daoud

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-02307309

Soumis le : lundi 7 octobre 2019-14:44:43

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

Dates et versions

hal-02307309 , version 1 (07-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02307309 , version 1
DOI : 10.1109/IRPS.2011.5784555

Citer

A. Alaeddine, Moncef Kadi, K. Daoud. Performance and structure degradations of SiGe HBT after electromagnetic field stress. 2011 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2011, Monterey, United States. pp.CD.1.1-CD.1.6, ⟨10.1109/IRPS.2011.5784555⟩. ⟨hal-02307309⟩

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