3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2019

3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon

Sébastien Duguay
J. Borrel
A. Gauthier
D. Blavette
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02298943 , version 1 (27-09-2019)

Identifiants

Citer

P. Dumas, Sébastien Duguay, J. Borrel, A. Gauthier, E. Ghegin, et al.. 3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon. Applied Physics Letters, 2019, 115 (13), pp.132103. ⟨10.1063/1.5121629⟩. ⟨hal-02298943⟩
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