Article Dans Une Revue
physica status solidi (a)
Année : 2016
Olivier Chadebec : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02277752
Soumis le : mardi 3 septembre 2019-22:04:18
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:16
Citer
Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, Astrid Linge, Malek Zegaoui, Pierre-Olivier Jeannin, et al.. Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors. physica status solidi (a), 2016, 213 (4), pp.873--877. ⟨10.1002/pssa.201532572⟩. ⟨hal-02277752⟩
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