Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporation during Chemical Vapor Deposition of 4H-SiC Epitaxial Layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporation during Chemical Vapor Deposition of 4H-SiC Epitaxial Layers

Roxana Arvinte
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Marcin Zielinski
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860779
NOVASiC
Thierry Chassagne
  • Fonction : Auteur
Savoie Technolac
Marc Portail
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Adrien Michon
Laboratoire de photonique et de nanostructures
Pawel Kwasnicki
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Charles Coulomb
Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839245
Laboratoire Charles Coulomb
Hervé Peyre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860717
Laboratoire Charles Coulomb

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : mardi 19 février 2019-16:01:04

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

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Dates et versions

hal-02025329 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025329 , version 1

Citer

Roxana Arvinte, Marcin Zielinski, Thierry Chassagne, Marc Portail, Adrien Michon, et al.. Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporation during Chemical Vapor Deposition of 4H-SiC Epitaxial Layers. 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2014, Grenoble, France. pp.149-152. ⟨hal-02025329⟩

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