Terahertz detector based on HEMT FET transistor

P. Le Bars , W. Sahyoun , W. Knap , D. Coquillat , F. Teppe , Philippe Nouvel (1, 2) , L. Tohme (1, 2) , Annick Pénarier (1, 2) , Stéphane Blin (1, 2)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 TéHO - Térahertz, hyperfréquence et optique

Domaines: Electronique

P. Le Bars, W. Sahyoun, W. Knap, D. Coquillat, F. Teppe, et al.. Terahertz detector based on HEMT FET transistor. France, Patent n° : GB1313912.6. 2013. ⟨hal-02008387⟩