Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2011
Guillaume Saint-Girons : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01939990
Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-20:18:07
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01939990 , version 1
Citer
G. Niu, S. Yin, Guillaume Saint-Girons, B. Gautier, P. Lecoeur, et al.. Epitaxy of BaTiO3 thin film on Si(001) using a SrTiO3 buffer layer for non-volatile memory application. Microelectronic Engineering, 2011, 88 (7), pp.1232-1235. ⟨hal-01939990⟩
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