Analysis of Single-Event Effects in DDR3 and DDR3L SDRAMs Using Laser Testing and Monte-Carlo Simulations

P. Kohler; V. Pouget; Frédéric Wrobel; F. Saigné

Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Analysis of Single-Event Effects in DDR3 and DDR3L SDRAMs Using Laser Testing and Monte-Carlo Simulations

, (1, 2) , (1, 2) , (1, 2)

1
2

P. Kohler

Fonction : Auteur
PersonId : 793264
ORCID : 0000-0003-4887-3698

V. Pouget

Fonction : Auteur
PersonId : 21573
IdHAL : vincent-pouget
ORCID : 0000-0001-6126-6708
IdRef : 060649313

Institut d’Electronique et des Systèmes

Radiations et composants

Frédéric Wrobel

Fonction : Auteur
PersonId : 11044
IdHAL : frederic-wrobel
ORCID : 0000-0002-2437-1223
IdRef : 069697027

Institut d’Electronique et des Systèmes

Radiations et composants

CV

F. Saigné

Fonction : Auteur
PersonId : 19534
IdHAL : frederic-saigne
IdRef : 110480821

Institut d’Electronique et des Systèmes

Radiations et composants

Domaines

Electronique

Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01929203

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:31:09

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Dates et versions

hal-01929203 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01929203 , version 1

Citer

P. Kohler, V. Pouget, Frédéric Wrobel, F. Saigné. Analysis of Single-Event Effects in DDR3 and DDR3L SDRAMs Using Laser Testing and Monte-Carlo Simulations. NSREC 2017, 2017, New Orleans, United States. ⟨hal-01929203⟩

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