GaSb-based lasers epitaxially grown on Si

E. Tournié (1, 2) , L. Cerutti (1, 2) , J.-B. Rodriguez (1, 2) , A. Castellano (1) , G. Narcy (1, 2) , M. Niehle , G. Patriarche (3) , A. Trampert (4)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 NANOMIR - Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 PDI - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik

Domaines: Electronique

E. Tournié, L. Cerutti, J.-B. Rodriguez, A. Castellano, G. Narcy, et al.. GaSb-based lasers epitaxially grown on Si. E-MRS Fall meeting, Symposium, 2017, Warsaw, Poland. ⟨hal-01905141⟩