THz absorbers with Sb-III highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

THz absorbers with Sb-III highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators

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Electronique

Dauverchain Eric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01903774

Soumis le : mercredi 24 octobre 2018-16:02:14

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01903774 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01903774 , version 1

Citer

F. Omeis, F. Gonzalez-Posada, L. Cerutti, R. Smaali, E. Centeno, et al.. THz absorbers with Sb-III highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators. IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conferences (NDMC), 2016, Toulouse, France. ⟨hal-01903774⟩

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