Highly doped InAsSb nanoribbon on GaSb for plasmonics applications - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Highly doped InAsSb nanoribbon on GaSb for plasmonics applications

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M. Milla-Rodrigo

Fonction : Auteur

F. Barho

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PersonId : 19598
IdHAL : franziska-barho
ORCID : 0000-0003-4502-0702

Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

L. Cerutti

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Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

E. Tournié

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T. Taliercio

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https://hal.science/hal-01903751

Soumis le : mercredi 24 octobre 2018-15:51:58

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Dates et versions

hal-01903751 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01903751 , version 1

Citer

M. Milla-Rodrigo, F. Barho, L. Cerutti, E. Tournié, T. Taliercio. Highly doped InAsSb nanoribbon on GaSb for plasmonics applications. 13th Infrared Optoelectronics: Materials and devices (MIOMD-XI), 2016, Beijing, China. ⟨hal-01903751⟩

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