On the origin of threading dislocations during III-Sb epitaxy on Si(001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01903706 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01903706 , version 1

Citer

M. Niehle, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, K. Madiomanana, E. Tournié, et al.. On the origin of threading dislocations during III-Sb epitaxy on Si(001). 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE2016), 2016, Montpellier, France. ⟨hal-01903706⟩
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