Electromagnetic Susceptibility of low frequency bipolar transistors subject to the total ionizing dose effect - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01893981 , version 1 (11-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01893981 , version 1

Citer

Adrien Doridant, Jérémy Raoult, Amable Blain, Sylvie Jarrix, Laurent Dusseau, et al.. Electromagnetic Susceptibility of low frequency bipolar transistors subject to the total ionizing dose effect. EMC Compo, Nov 2011, Dubrovnik, Croatia. ⟨hal-01893981⟩
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