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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Thermal simulation modeling and measurements of GaN transistors

Raphaël Sommet

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01838301 , version 1 (13-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01838301 , version 1

Citer

Raphaël Sommet. Thermal simulation modeling and measurements of GaN transistors. IMAPS, 13th European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, Feb 2018, La Rochelle, France. ⟨hal-01838301⟩
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