Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01718857
Soumis le : mardi 27 février 2018-17:18:32
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01718857 , version 1
- DOI : 10.1109/EuroSimE.2018.8369924
Citer
Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Investigation of Trapping Behaviour in GaN HEMTs through physical TCAD Simulation of Capacitance Voltage characteristics. EuroSimE 2018, Apr 2018, Toulouse, France. ⟨10.1109/EuroSimE.2018.8369924⟩. ⟨hal-01718857⟩
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