Communication Dans Un Congrès
Année : 2014
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01718823
Soumis le : mardi 27 février 2018-16:50:17
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01718823 , version 1
Citer
Dominique Thales R&t Carisetti, Nicolas Sarazin, Laurent Brunel, J.C. Clement, Nathalie Malbert, et al.. Critical failure mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMT under severe stress test conditions. 7th Wide band gap semiconductor and components workshop, pp. 309-315, septembre 2014, Frascati, Italy, 2014, Frascati, Italy. ⟨hal-01718823⟩
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