Micro-PL characterization of oxide-confined GaAs VCSEL operating at 850 nm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Micro-PL characterization of oxide-confined GaAs VCSEL operating at 850 nm

Merwan Mokhtari
3SP Technologies
Institut de Physique de Rennes
Philippe Pagnod-Rossiaux
  • Fonction : Auteur
3SP Technologies
François Laruelle
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 956305
3SP Technologies
Jean-Pierre Landesman
Institut de Physique de Rennes
Alain Moréac
Institut de Physique de Rennes
CV
Christophe Levallois
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON

Domaines

Optique / photonique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01710323

Soumis le : jeudi 15 février 2018-18:24:18

Dernière modification le : jeudi 5 octobre 2023-11:44:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01710323 , version 1 (15-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01710323 , version 1

Citer

Merwan Mokhtari, Philippe Pagnod-Rossiaux, François Laruelle, Jean-Pierre Landesman, Alain Moréac, et al.. Micro-PL characterization of oxide-confined GaAs VCSEL operating at 850 nm. 10th European Workshop on VCSELs (VCSEL Day 2017), Jun 2017, Cardiff, United Kingdom. ⟨hal-01710323⟩

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