Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2011
Sylvie Pommier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01636559
Soumis le : jeudi 16 novembre 2017-16:43:19
Dernière modification le : samedi 5 août 2023-03:34:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01636559 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2011.06.009
Citer
S. Pietranico, S. Lefebvre, S. Pommier, M. Berkani Bouaroudj, Sylvain Bontemps. A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.1824 - 1829. ⟨10.1016/j.microrel.2011.06.009⟩. ⟨hal-01636559⟩
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