Analysis of Data Obtained Using the Thermal-Step Method on a MOS Structure—An Electrostatic Approach

Petru Jr. Notingher (1, 2) , Ludovic Boyer (1) , Olivier Fruchier (1) , Serge Agnel (1, 2) , Alain Toureille (1, 2) , Bernard Rousset (3) , Jean-Louis Sanchez (3)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 GEM - Groupe énergie et matériaux
3 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Domaines: Electronique

Petru Jr. Notingher, Ludovic Boyer, Olivier Fruchier, Serge Agnel, Alain Toureille, et al.. Analysis of Data Obtained Using the Thermal-Step Method on a MOS Structure—An Electrostatic Approach. IEEE Transactions on Industry Applications, 2010, 46 (3), pp.1144 - 1150. ⟨10.1109/TIA.2010.2045211⟩. ⟨hal-01629118⟩