Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy

K. Madiomanana (1) , M. Bahri (2) , J.B. Rodriguez (1, 3) , L. Largeau (4) , L. Cerutti (1, 3) , O. Mauguin (4) , A. Castellano (1) , G. Patriarche (4) , E. Tournié (1, 3)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 LSAMA - Laboratoire de Spectroscopie Atomique, Moléculaire et Applications
3 NANOMIR - Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines: Electronique

K. Madiomanana, M. Bahri, J.B. Rodriguez, L. Largeau, L. Cerutti, et al.. Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 2015, 413, pp.17 - 24. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2014.12.004⟩. ⟨hal-01626282⟩