Poster De Conférence
Année : 2017
Rémi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01577612
Soumis le : samedi 26 août 2017-19:45:53
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01577612 , version 1
Citer
Nicolas Holtzer, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Rémi Dussart. Cryogenic Atomic Layer Etching of SiO2 . 17th International Conference on Atomic Layer Deposition, Jul 2017, Denver, United States. ⟨hal-01577612⟩
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