Etude par microscopie à effet tunnel de la croissance épitaxiale de GaP sur substrats Si(001) nominaux et vicinaux pour l’optoélectronique

Simon Charbonnier (1) , Ida Lucci (2) , S. Gangopadhyay (3) , Yanping Wang (2) , Tony Rohel (2) , Rozenn Bernard (2) , Antoine Létoublon (2) , Charles Cornet (2) , Pascal Turban (1)

1 IPR - Institut de Physique de Rennes
2 FOTON - Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
3 BITS Pilani - Birla Institute of Technology and Science

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Matériaux

Simon Charbonnier, Ida Lucci, S. Gangopadhyay, Yanping Wang, Tony Rohel, et al.. Etude par microscopie à effet tunnel de la croissance épitaxiale de GaP sur substrats Si(001) nominaux et vicinaux pour l’optoélectronique. Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2016), Jul 2016, Marseille, France. ⟨hal-01497147⟩