A New High Speed and High Efficiency GaN HEMT Switching Cell for Envelope Tracking Modulators - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

A New High Speed and High Efficiency GaN HEMT Switching Cell for Envelope Tracking Modulators

Anthony Disserand
Systèmes RF
Philippe Bouysse
Systèmes RF
Audrey Martin
Systèmes RF
Raymond Quéré
Systèmes RF
Olivier Jardel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949138
Alcatel-Thales III-V Lab
Luc Lapierre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 951908
Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]

Domaines

Electronique

Philippe Bouysse  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01432407

Soumis le : mercredi 11 janvier 2017-16:51:56

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01432407 , version 1 (11-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01432407 , version 1

Citer

Anthony Disserand, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Raymond Quéré, Olivier Jardel, et al.. A New High Speed and High Efficiency GaN HEMT Switching Cell for Envelope Tracking Modulators. Europen Microwave Week, Oct 2016, Londres, United Kingdom. ⟨hal-01432407⟩

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