Temperature dependent contact and channel sheet resistance extraction of GaN HEMT. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Temperature dependent contact and channel sheet resistance extraction of GaN HEMT.

A.K. Sahoo
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
N.K. Subramani
  • Fonction : Auteur
Systèmes RF
Jean-Christophe Nallatamby
Systèmes RF
N. Rolland
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Raymond Quéré
Systèmes RF
F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Jean-Christophe Nallatamby  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01285706

Soumis le : mercredi 9 mars 2016-16:22:54

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01285706 , version 1 (09-03-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01285706 , version 1

Citer

A.K. Sahoo, N.K. Subramani, Jean-Christophe Nallatamby, N. Rolland, Raymond Quéré, et al.. Temperature dependent contact and channel sheet resistance extraction of GaN HEMT.. INMMIC, Oct 2015, Taormina, Italy. ⟨hal-01285706⟩

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