Analyse de la stabilité thermique d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs à l'aide d'une implémentation parallèle d'un simulateur couplé à un simulateur de circuit
Résumé
no abstract
Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01279267
Soumis le : jeudi 25 février 2016-17:56:33
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01279267 , version 1
Citer
Raphaël Sommet, David Lopez, Raymond Quéré. Analyse de la stabilité thermique d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs à l'aide d'une implémentation parallèle d'un simulateur couplé à un simulateur de circuit. NUMELEC, 2000, POITIERS, France. ⟨hal-01279267⟩
184
Consultations
0
Téléchargements