Self heating and trap characterization and simulation for large signal GaN transistors modeling
Résumé
no abstract
Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
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https://hal.science/hal-01278916
Soumis le : jeudi 25 février 2016-10:35:46
Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01278916 , version 1
Citer
Raymond Quéré, Olivier Jardel, Raphaël Sommet, Stéphane Piotrowicz, Jean-Pierre Teyssier. Self heating and trap characterization and simulation for large signal GaN transistors modeling. IMS 2015, 2015, Phoenix, Unknown Region. ⟨hal-01278916⟩
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