Caractérisation de la diode d'un transistor HEMT en GaN sous illumination UV

Alexis Divay (1) , O. Latry (1) , Cédric Duperrier (2) , Farid Temcamani (3)

1 GPM - Groupe de physique des matériaux
2 ETIS - UMR 8051 - Equipes Traitement de l'Information et Systèmes
3 QUARTZ - Laboratoire QUARTZ

La technologie HEMT (High Electron Mobility Transistor) en Nitrure de Gallium est prometteuse pour le fonctionnement radiofréquence. Cependant, le manque de retour d'expérience sur cette technologie récente pose des questions sur sa fiabilité. La caractérisation de la grille (diode Schottky) de ce type de transistors permet de mettre en évidence d'éventuelles modifications physiques de grille au cours de son vieillissement. Cependant, les phénomènes de piégeage viennent perturber ces caractérisations. Des analyses avec et sans éclairage UV permettent de dissocier le comportement de la diode de celui des pièges situés au voisinage de la grille. Plusieurs caractéristiques IV de diodes sur ce type de composants sont donc mesurées sous différentes conditions d'éclairage et de température, de manière à obtenir des informations sur l'impact des phénomènes de piégeage observables sur ce type de jonctions.

Mots clés: HEMT; GaN; Schottky; pièges

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Electronique

Alexis Divay, O. Latry, Cédric Duperrier, Farid Temcamani. Caractérisation de la diode d'un transistor HEMT en GaN sous illumination UV. TELECOM’2015 & 9èmes JFMMA, May 2015, Meknes, Maroc. ⟨hal-01230931⟩