Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01228451
Soumis le : vendredi 13 novembre 2015-10:38:29
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:01
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01228451 , version 1
Citer
Stefan Tinck, E.C. Neyts, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Annemie Bogaerts. Cryogenic etching of silicon with SF6/O2/SiF4 plasmas: a modelling and experimental study. 22nd International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 2015), Jul 2015, Antwerp, Belgium. ⟨hal-01228451⟩
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