Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01022530
Soumis le : jeudi 10 juillet 2014-14:47:53
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:41:47
Citer
M. Koyama, M. Cassé, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, et al.. Influence of Device Scaling on Low-Frequency Noise in SOI Tri-Gate N- and P-Type Si Nanowire MOSFETs. 43rd ESSDERC, Sep 2013, Bucarest, Romania. pp.303-307, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818878⟩. ⟨hal-01022530⟩
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